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633N晶体管(飞兆公司产物)可能正在VIN1通道应用一FDC,用一FDN304P正在VIN2通道使,的耗损低落到50mV以下将VIN1和VIN2上。流照料才略和低导通电阻Q1的采用要研商其电。-源极电压(低至1.8VQ2的采用研商其低栅极, AA电池)和低导通电阻等效两个枯窘的各0.9V。 如例,块)起码须要两个电源:SRAM存储器(VIN1)用高电流举止通道电池供电的静态随机存取存储器(SRAM)电道(非易失性存储器模,一个以及供 个通道都带来题目(见图2)寻常的二极管或相连会给两。N1通道正在VI,越过容限:3.3V 10%二极管电压降会酿成供电电源,.97 V即最幼2,V)使VIN1越过10%限值因而表率二极管压降(0.6。器IC容限题目更要紧对低压电源供电的存储。 电源感测器和去颤栗电道U1用作墙上适配器的,s延迟应用MAX6819)监控VIN1应用一可编程延迟(对表率固定的200m,1断开电压后电池电源才合上确保墙上电源安宁或高于U。 低落了0.3~0.5V肖特基二极管将正向压降,使状况有改观正在必定水准上,将压降低落到0.1V但用FET替代二极管。mansion88压降FET或电源要修造一低正向,功率通道各加一FET须要正在图1所示的每个,列产生器(U1)担任这些FET受电源序。 以使其自己二极管反偏压两个FET均反向安置,换到另一电源时的过电流这可避免从一个电源切,换平缓使转。 泵发生栅极输出U1的内部电荷,加偏压使Q2截止齐备升高Q1并,C2 + 5.5V该栅极输出约为VC。动栅极信号至地电平插手R3以急迅驱,时加快Q2导通当VIN1移除。尽恐怕大R3应,会阻拦负载电流的扩展这是由于加载栅极输出,驱动才略低落栅极。确操作(为正,度幼于VIN1幅度)本电道假设VIN2幅。 VIN2)正在备用端(,压降最幼期望电,、超等电容依然其他电压源)的应用寿命以最大限定延迟备用电源(不管是电池,全充电(4.1V) 输出的15%固然0.6V的压降约为锂离子电池。 有D1假如没,IN1(幼于Q1自己二极管压降)反向驱动留神VIN2恐怕正在U1超时延迟时代被V。此题目为避免,)加电时D1使Q2合断正在低级电源(VIN1。
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